| １０月１５日(金) |
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A室 |
B室 |
C室 |
| 09:45 |
【2A1】ナノテクノロジー
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座長：菅沼克昭(大阪大学)
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| 1. |
カルバメート結合形成反応を利用したCdSナノ粒子三次元構造体の創製 |
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鶴岡孝章, 赤松謙祐,
縄舟秀美(甲南大学) |
| 2. |
Niナノ粒子複合ポリイミド樹脂のナノ粒子サイズおよび体積充填率制御 |
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新開寛之, 赤松謙祐,
縄舟秀美(甲南大学), 冨田知志(科学技術振興機構) |
| 3. |
ナノペーストを用いたインクジェット印刷によるパターン形成 |
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齊藤 寛, 松葉頼重,
上田雅行(ハリマ化成) |
| 4. |
銀ナノ粒子を用いた接合プロセス
－接合パラメータの影響－ |
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井出英一, 安形真治,
廣瀬明夫, 小林紘二郎(大阪大学) |
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(10:05)
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11:05
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【2B1】力学特性評価
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座長：小池真司(日本電信電話)
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| 1. |
微小はんだ材の凝固組織と力学特性におよぼす冷却速度の影響 |
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浅井 強(芝浦工業大学),
苅谷義治(物質・材料研究機構), 須賀唯知(東京大学) |
| 2. |
リフロー・フロー混載実装におけるICリード剥離評価手法の開発 |
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田邊 剛, 村井淳一,
出田吾朗, 川上 豊, 近藤元康(三菱電機) |
| 3. |
３Dディジタル画像相関分析による電子デバイスの熱変形とストレイン計測 |
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ケリー パトリック(オプチカル・メトロジー・イノベーション)
<英語> |
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【2C1】評価シミュレーション I
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座長：橋本
薫(富士通研究所) |
| 1. |
電子デバイスはんだ接合部の信頼性における設計因子の影響度評価 |
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阿部浩和, 于 強, 陳
在哲, 白鳥正樹(横浜国立大学) |
| 2. |
BGAはんだ接合部の信頼性評価 |
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伊東伸孝, 坪根健一郎,
三代絹子, 安陪光紀, 舘野 正, 中楯真美, 井門 修(富士通) |
| 3. |
温度サイクル寿命を向上するNSMDはんだ接続部の寿命予測手法の検討 |
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中 康弘, 矢口昭弘(日立製作所),
氏家健二(ルネサステクノロジ) |
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11:15
12:35 |
【2A2】半導体パッケージ・モジュール
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座長：森 三樹(東芝) |
| 1. |
超高周波LSIパッケージの設計 |
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傳田 精一(長野県工科短期大学校) |
| 2. |
RFIDリーダ／ライタ用モジュール |
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島田紀冶, 小林智樹(新光電気工業) |
| 3. |
マイクロ電源モジュールの実装技術開発 |
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川島鉄也, 伝田俊男, 江戸雅晴,
林 善智(富士電機アドバンストテクノロジー),
畑田賢造(アトムニクス研究所) |
| 4. |
高信頼度BGAパッケージの構造設計 |
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矢口昭弘, 中 康弘(日立製作所),
木本良輔, 山本健一, 岩谷昭彦, 阿内 誠(ルネサステクノロジ) |
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【2B2】ウエットプロセス I
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座長：新井 進(信州大学) |
| 1. |
銅箔表面の粗化形態と結晶構造 |
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村上陽生(岡山大学),
近藤和夫(大阪府立大学), 栗原宏明(三井金属) |
| 2. |
Ｔｉカソード上への電解銅の初期析出機構 |
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栗原宏明(三井金属鉱業),
近藤和夫(大阪府立大学), 岡田泰行(岡山大学) |
| 3. |
極薄平滑銅箔を用いた高密度セミアディブ基板 |
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森池教夫, 高井健次,
上山健一(日立化成工業) |
| 4. |
ファインパターン形成のための銅の表面処理 |
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中川登志子, 東嶋豊恵(メック) |
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【2C2】評価シミュレーション II
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座長：藤原 裕(大阪市立工業研究所) |
| 1. |
データマイニングによるバイアホールの層間回路接続信頼性支配要因の探索 |
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青山栄一, 廣垣俊樹,
小川圭二(同志社大学) |
| 2. |
打ち抜き加工シミュレーションの高アスペクト比電子部品加工への適用 |
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北島正邦, 赤塩貞男,
若林信一(新光電気工業), 小杉 俊, 工藤誠一(長野県工業試験場) |
| 3. |
熱ひずみを考慮した光導波路の伝搬損失解析 |
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古澤剛士, 安田清和,
藤本公三(大阪大学) |
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(12:15) |
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昼休み
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| 13:30 |
【2A3】鉛フリーはんだ I
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座長：上西啓介(大阪大学) |
| 1. |
高温保持によるSn-Zn系低温鉛フリーはんだ接合体の破断パターン変化 |
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キム ヤンスン, キム グンス, 菅沼克昭(大阪大学) |
| 2. |
Sn-Ag-Al系合金はんだを用いたC-BGA接合の熱疲労特性評価 |
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鈴木直人, 田中順一,
成田敏夫(北海道大学) |
| 3. |
鉛フリーSn-低In-Al系はんだ組織と熱疲労特性の評価 |
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水野宏紀, 鈴木直人,
田中順一, 成田敏夫(北海道大学) |
| 4. |
SnAgCuIn系Pbフリーはんだを用いた低耐熱部品リフローの検討 |
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中塚哲也, 芹沢弘二,
佐伯敏男(日立製作所), 盛田雅洋, 松崎智明(中部ハイテクサービス) |
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【2B3】ウエットプロセス II
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座長：中岸 豊(奥野製薬工業) |
| 1 |
光誘起選択めっきを用いたナノ多孔質基板への微細銅配線形成における露光量依存性の評価 |
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山田 紘, 堀田康之,
山田 浩, 澤登美紗, 真竹 茂(東芝) |
| 2. |
TiO2光触媒反応を用いる新規無電解めっきシステムの析出機構 |
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木村明寛, 赤松謙祐,
縄舟秀美(甲南大学) |
| 3. |
ダイレクトメタラリゼーション法による銅／ポリイミド界面密着構造の最適化 |
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池田慎吾, 赤松謙祐,
縄舟秀美(甲南大学), 柳本 博(三ツ星ベルト) |
| 4. |
隔膜電解法による中性無電解銅めっき液の電解再生 |
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森川裕司, 赤松謙祐,
縄舟秀美( 甲南大学), 中村弘喜(液晶先端技術開発センター) |
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【2C3】信頼性試験・評価
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座長：江森雄二(沖テクノクリエーション) |
| 1. |
樹脂埋め込みされたスーパーコネクト配線に対する電気的信頼性の評価 |
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佐藤 誠, 横田淳一郎,
吉原佐知雄, 白樫高史(宇都宮大学) |
| 2. |
ミスト冷却を用いた高発熱半導体の温度制御方法の検討 |
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嶋田哲也, 田中浩和,
渡部克彦, 伊賀 弘(エスペック) |
| 3. |
車載用電子部品の結露シミュレーション |
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伊奈 治, 杉浦昭夫,
岡本真一(デンソー) |
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(14:30) |
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14:50 |
(14:40)
【2C4】回路基板プロセス
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座長：榎本 亮(イビデン) |
| 1. |
一括多層配線基板材料と対応プロセス |
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前田修二, 金谷大介,
柏原圭子, 小笠原健二(松下電工) |
| 2. |
ＰＥＥＫ系熱可塑性樹脂フィルムを用いた多層基板の開発 |
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山田紳月, 中村雄二,
鈴木秀次, 黒崎礼郎(三菱樹脂), 石井好明(大塚化学) |
| 3. |
金属粉末含有グリーンシートによる金属皮膜の形成 |
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内木場文男, 山下恭平,
長島理恵, 石井裕史(日本大学) |
| 4. |
炭酸ガスレーザによるCuダイレクト加工における穴品質の改善 |
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青山栄一, 廣垣俊樹,
小川圭二, 土井信幸(同志社大学), 皆木 龍(参天製薬) |
| 5. |
赤外線サーモグラフィーを用いたドリル温度のモニタリングによる穴内壁品質の管理 |
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青山栄一, 廣垣俊樹,
小川圭二, 山内勝利(同志社大学) |
| 6. |
選択的濡れ性を利用した絶縁膜形成法 |
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上村太一, 杉谷雅夫,
熊倉昌義(協立化学産業), 畑田賢造(アトムニクス研究所) |
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15:00
16:40 |
【2A4】鉛フリーはんだ II
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座長：竹本
正(大阪大学) |
| 1. |
高温及び高温高湿環境試験によるSn-Ag-InはんだとCuとの接続界面組織及び強度変化 |
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今西貴之, 菅沼克昭, 金
槿銖(大阪大学) |
| 2. |
Sn-AgはんだとAu/Ni-Coめっきとのマイクロ接合部急速合金化に関する研究 |
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小林真司, 山本孝志,
上西啓介, 小林紘二郎(大阪大学), 石尾雅昭,
塩見和弘, 橋本彰夫(NEOMAX), 山本雅春(鹿児島住特電子) |
| 3. |
鉛ﾌﾘｰめっきにおけるSnｳｲｽｶ発生ﾒｶﾆｽﾞﾑについての一考察 |
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赤松俊也, 落合正行,
西井耕太(富士通研究所) |
| 4. |
銅箔細り現象に対応した鉛フリー化対策技術の検討 |
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山口鐘畿, 永沼 弘,
大矢 博, 岡本 満, 山岸公彦, 小林正光, 別府芳則(キョウデン) |
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(16:20) |
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【2B4】ウエットプロセス III
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座長：藤原 裕(大阪市立工業研究所) |
| 1. |
無電解パラジウムー銀合金めっき液 |
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下地輝明, 奥村 元,
岩松克茂(奥野製薬工業) |
| 2. |
新規金錯体を用いた無電解金めっき液の検討 |
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真田昌樹, 中沢昌夫,
今藤 桂, 若林信一(新光電気工業), 金子紀男(信州大学) |
| 3. |
パラジウムスパッタと無電解ニッケルめっきを用いた近接場光学顕微鏡用プローブの作製法の開発 |
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加藤育洋, 中山香織,
齋藤裕一(関東学院大学), 物部秀二(JST PRESTO, KAST),
大津元一(東京大学, KAST), 本間英夫(関東学院大学) |
| 4. |
めっき法を用いたCuInS2薄膜太陽電池の作製 |
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武井弘次, 市川純廣,
深澤 亮, 鈴木康也, 的野大輔, 竹内健司, 中村健次,
中沢昌夫(新光電気工業) |
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(16:20) |
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