第3セッション |
18) |
鉛0.1%問題 |
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ソニー 荒金 秀幸 氏 |
19) |
SnAgCu鉛フリーはんだ中のボイドと信頼性の関係 |
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富士通 三代 絹子 氏 |
20) |
ウェハレベルパッケージングによる10GHz対応RF MEMSスイッチの実現 |
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オムロン 佐藤 正武 氏 |
21) |
20ミクロンピッチ高周波コンタクトプローブの開発と応用 |
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産業技術総合研究所 青柳 昌宏 氏 |
22) |
フリップチップ実装におけるフラックスレス一括封止樹脂接続技術の開発 |
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NEC 大内 明 氏 |
23) |
超音波接合によるプリント基板上への狭ピッチ多端子LSI実装技術 |
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シャープ 丸崎 恒司 氏 |
24) |
SiP・次世代実装技術を支える超微細バンプ形成技術とマイクロ接合技術 |
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アトムニクス研究所 畑田 賢造 氏 |
25) |
金属バンプ平坦化技術 |
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ディスコ 川合 章仁 氏 |
26) |
半導体用接着剤シートの開発 |
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東レ 篠原 英樹 氏 |
27) |
極薄平滑銅箔を用いた狭ピッチセミアディティブ基板への無電解Auめっき仕上げ |
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日立化成工業 高井 健次 氏 |
28) |
再溶融剥離に及ぼす基板そりの影響 |
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東芝 佐藤 義徳 氏 |
29) |
インクジェット法による多層回路基板製造技術開発の現状 |
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セイコーエプソン 桜田 和昭 氏 |
30) |
半導体技術を用いた薄膜キャパシタ受動部品の作製と実装評価 |
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関東学院大学 小岩 一郎 氏 |
31) |
エアロゾルデポジションによるエンベッディドパッシブ技術 |
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富士通研究所 今中 佳彦 氏 |
32) |
組み立て容易な10Gb/s X 4chインターコネクションモジュール |
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産業技術総合研究所 鈴木 健司 氏 |
33) |
全パッシブアライメント実装による10Gbps-芯全二重光導波路モジュールの開発 |
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ソニー 成瀬 晃和 氏 |
34) |
フッ素化ポリイミドを用いた光電気複合配線フィルム |
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日本電信電話 碓氷 光男 氏 |