| ◆開催日時 ： |
2015年1月29日（木） 13:30～18:00 |
| ◆会 場 ： |
回路会館 地下会議室
ＪＲ中央線西荻窪駅下車徒歩約７分
〒167-0042 東京都杉並区西荻北3-12-2 TEL.03-5310-2010
地図 → http://www.e-jisso.jp/intro/intro07.html |
| ◆テーマ ： |
エコ社会に貢献するパワーデバイスの実装技術と材料技術 |
| ◆プログラム： |
- ○13:30-14:20
- 「SiCパワーデバイスの最新技術と課題」
筑波大学 岩室 憲幸
【概要】シリコン（Si)IGBTは1985年に初めて製品化されて以来、その技術革新には目覚ましいものがあり、現在ではハイブリッドカーなどを中心にその適用範囲をますます広げ、パワーエレクトロニクス機器のキーデバイスとして中心的な役割をしている。 そのSi-IGBTも、シリコンの物性値で決まる特性限界が近づきつつあると言われており、市場の関心はSiデバイスからシリコンカーバイド（SiC）デバイスに、いつ本格的に移行するかというところにある。2014年5月、トヨタ自動車がハイブリッドカーにSiCデバイスを搭載し2020年に実車化を狙う発表し、いよいよSiCパワーデバイスの本格普及に関心がもたれてきている。 しかしながら、SiCを搭載したパワーエレクトロニクス機器が最近ようやく適用・販売され始めているものの、本格的に普及されたとは言いがたいと考えている。SiCパワーデバイスの開発はいったいどこまで進んでいるのか、本格的な普及を妨げているのは何なのか。パワーデバイスの基礎からSi-IGBT、そしてSiCデバイスの構造設計やプロセス技術の最新状況を詳細に解説し、SiCパワーデバイスの課題や今後の動向について説明する。
- ○14:25-15:15
- 「機能性ポリマーコンポジット絶縁材料の開発」
九州工業大学 小迫 雅裕
【概要】高熱伝導性かつ電気絶縁性を両立する材料に対するニーズは高いが、相反する両特性の双方向上は容易では無い。本講演では、パワーデバイス放熱部材への応用を見据えた高熱伝導性複合絶縁樹脂の開発事例、新しい絶縁材料技術としてナノコンポジット、フィラー電界配向、エポキシ代替材料の適用可能性について紹介する。
- 〔休憩 15分〕
- ○15:30-16:20
- 「高熱伝導フィラーの技術動向」
電気化学工業株式会社 黒川 史裕
【概要】各種電子機器に用いられる放熱材の熱特性を向上させるためには、熱伝導フィラーの最適化が重要である。本講演ではアルミナ、窒化ホウ素を中心とした高熱伝導フィラーの技術動向について説明する。
- ○16:25-17:15
- 「大電流用高耐熱樹脂基板の開発」
大日本印刷株式会社 長塚 保則
【概要】半導体の高効率化とともに、デバイスからの発熱量が増大していく。それに伴い、周辺部材の高耐熱化、高放熱化、高信頼性化の重要度が増している。そこで本講演では基板の課題と開発品、特に熱膨張と耐熱性について紹介する。
- ○17:20-18:00
- 交流会：名刺交換
※ プログラムは変更になることがあります。ご了承ください。
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| ◆定 員 ： |
100名(先着申込順 定員になり次第締切ます) |
| ◆参 加 費： |
(テキスト代、消費税込み)
正会員・賛助会員：4,000円 (ｸｰﾎﾟﾝ券は使用不可)
シニア会員 ：2,000円
学生会員 ：2,000円
非会員 ：6,000円
非会員学生 ：3,000円
＊ 参加費は当日会場受付にて徴収します。
釣り銭のないようにお願いします。
＊ クーポン(賛助会員向け)のご利用はできません。
＊ 交流会参加は無料ですが、準備の都合上、出欠予定を申込書のコメント欄にご記入ください。 |
| ◆申込方法 ： |
申し込みはここから。
登録されますと参加票が返信されます。
受講票をプリントアウトして当日お持ちください。
★申し込みをキャンセルされる場合はこちらへ。 |
| ◆問合せ先 ： |
エレクトロニクス実装学会
機能性ハイブリッド材料研究会 公開研究会係
E-mail：zairyou-kouken@jiep.or.jp |
