開催日時 |
平成28年7月20日(水) 13:30~17:40 |
会場 |
回路会館 地下1階会議室
(167-0042)東京都杉並区西荻北3-12-2 TEL:03-5310-2010
(地図 http://www.e-jisso.jp/intro/intro07.html) |
テーマ |
「パワーデバイス対応のパッケージング技術の最新動向」 |
プログラム |
- 13:00~
- 受付開始
◆基調講演◆
- 13:30~14:30
- 「SiC/GaNパワーデバイスの開発動向」
山本 秀和氏(千葉工業大学)
◆技術講演◆
- 14:30~15:10
- 「高耐熱実装材料に対応可能なマレイミド系樹脂の材料設計」
大塚 恵子氏(大阪市立工業研究所)
- 15:20~16:00
- 「高熱伝導シート等パワーデバイス向け材料の開発動向」
戸川 光生氏(日立化成)
- 16:00~16:40
- 「パワーモジュール向け鉛フリー高耐熱はんだ接合技術の開発」
桑原 啓氏(日本電信電話株式会社)
◆特別講演◆
- 16:40~17:20
- 「パワーデバイス用パッケージングの最新技術動向」
宇都宮 久修氏(インターコネクション・テクノロジーズ)
- 17:30~18:30
- 技術交流会
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定員 |
100名(先着申込順) |
公開研究会参加費 |
(テキスト代、消費税込み) 「クーポンの利用不可」
会員:5000円
非会員:10000円 シニア会員(60才以上の会員)&学生:1000円
名誉会員:無料
* 参加費は当日、会場受付にて徴収します(釣り銭のないようにお願いします)。
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技術交流会参加費 |
無料(17:50~18:50) |
申込先 |
マイクロ・ナノファブリケーション研究会
* 次のURLよりお申し込みください。
http://e-jisso.com/reg/micronanofab28.html
* ウェブからの申し込みが出来ない方は、以下の参加申込書により E-mail(micronanofab¥e-jisso.com)またはFAX(0495-21-7830)にてお申し込み下さい。 (メールアドレスは¥を@に置き換えてください) |