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主 題： |
「電子材料のナノスペースの制御」 |
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主 催： |
エレクトロニクス実装学会 材料技術委員会ナノテク材料研究会 |
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日 時： |
2006年3月10日（金） 13:30 - 16:45 |
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場 所： |
キャンパス・イノベーションセンター 国際会議室
〒108-0023 東京都港区芝浦3-3-6
http://www.mext.go.jp/b_menu/houdou/15/07/03073103/004.pdf (PDF) |
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交 通： |
JR京浜東北線・山手線田町駅より徒歩1分
都営三田線・浅草線三田駅より徒歩5分 |
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講 演： |
| 13：30 - 14：30 |
『高強度Ｌｏｗ－ｋ（多孔性）層間絶縁膜材料』
中島 昭（触媒化成） |
| 14：30 - 15：30 |
『６５ｎｍ以降のＬＳＩ適用に向けたＣｕ／ポーラスＬｏｗ－ｋ多層配線の開発』
矢野 映（富士通研究所) |
| 15：45 - 16：45 |
『陽電子消滅法による薄膜材料の分析』
小林 慶規（産業技術総合研究所) |
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参加要領： |
1) 定員100名
2) 参加費 会員：6000円，非会員：8000円，学生：無料
3) 申込方法 氏名，勤務先，連絡先（〒・住所・電話・E-mail），種別（会員，非会員，学生の別），支払い方法（銀行振込，当日払）を明記の上，E-mailまたはFAXでお申し込み下さい。
銀行振込の場合，三菱東京ＵＦＪ銀行土浦支店普通預金No.3977732「ナノテク材料研究会」名義を利用ください（振込手数料は振込人にてご負担ください）。
ただし，請求書の発行はできません。 |
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申込先： |
〒305-0841 茨城県つくば市御幸が丘25 JSR(株) 筑波研究所
大月敏敬 TEL: 029-856-2878 FAX: 029-856-1477
E-mail：toshihiro_ootsuki@jsr.co.jp |
